广州多层磁控溅射过程 广东省科学院半导体研究所供应

磁控溅射的基本原理是利用Ar一O2混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，广州多层磁控溅射过程，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。磁控溅射的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜，广州多层磁控溅射过程。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种，广州多层磁控溅射过程。直流磁控溅射的特点是在阳极基片和阴极靶之间加一个直流电压，阳离子在电场的作用下轰击靶材，它的溅射速率一般都比较大。磁控溅射一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种。广州多层磁控溅射过程

磁控溅射的优点如下：1、沉积速度快、基材温升低、对膜层的损伤小；2、对于大部分材料，只要能制成靶材，就可以实现溅射；3、溅射所获得的薄膜与基片结合较好；4、溅射所获得的薄膜纯度高、致密度好、成膜均匀性好；5、溅射工艺可重复性好，可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜；6、能够控制镀层的厚度，同时可通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小；7、不同的金属、合金、氧化物能够进行混合，同时溅射于基材上；8、易于实现工业化。广州多层磁控溅射过程磁控溅射技术在光学薄膜、低辐射玻璃和透明导电玻璃等方面也得到应用。

磁控溅射靶材镀膜过程中，影响靶材镀膜沉积速率的因素：溅射电流。磁控靶的溅射电流与溅射靶材表面的离子电流成正比，因此也是影响溅射速率的重要因素。磁控溅射有一个普遍规律，即在较佳气压下沉积速度较快。因此，在不影响薄膜质量和满足客户要求的前提下，从溅射良率考虑气体压力的较佳值是合适的。改变溅射电流有两种方法：改变工作电压或改变工作气体压力。溅射功率：溅射功率对沉积速率的影响类似于溅射电压。一般来说，提高磁控靶材的溅射功率可以提高成膜率。然而，这并不是一个普遍的规则。在磁控靶材的溅射电压低，溅射电流大的情况下，虽然平均溅射功率不低，但离子不能被溅射，也不能沉积。前提是要求施加在磁控靶材上的溅射电压足够高，使工作气体离子在阴极和阳极之间的电场中的能量足够大于靶材的"溅射能量阈值"。

真空磁控溅射为什么必须在真空环境？溅射过程是通过电能，使气体的离子轰击靶材，就像砖头砸土墙，土墙的部分原子溅射出来，落在所要镀膜的基体上的过程。如果气体太多，气体离子在运行到靶材的过程中，很容易跟路程中的其他气体离子或分子碰撞，这样就不能加速，也溅射不出靶材原子来。所以需要真空状态。而如果气体太少，气体分子不能成为离子，没有很多可以轰击靶材，所以也不行。只能选择中间值，有足够的气体离子可以轰击靶材，而在轰击过程中，不至于因为气体太多而相互碰撞致使失去太多的能量的气体量，所以必须在较为恒定的真空状态下。此状态根据气体分子直径和分子自由程计算。一般在0.2-0.5Pa之间。脉冲磁控溅射可以提高溅射沉积速率，降低沉积温度。

射频磁控溅射是一种制备薄膜的工艺，特别是在使用非导电材料时，薄膜是在放置在真空室中的基板上生长的。强大的磁铁用于电离目标材料，并促使其以薄膜的形式沉淀在基板上。使用钻头的人射频磁控溅射过程的第一步是将基片材料置于真空中真空室。然后空气被移除，目标材料，即构成薄膜的材料，以气体的形式释放到腔室中。这种材料的粒子通过使用强大的磁铁被电离。现在以等离子体的形式，带负电荷的靶材料排列在基底上形成薄膜。薄膜的厚度范围从几个原子或分子到几百个。磁铁有助于加速薄膜的生长，因为对原子进行磁化有助于增加目标材料电离的百分比。电离原子更容易与薄膜工艺中涉及的其他粒子相互作用，因此更有可能在基底上沉积。这提高了薄膜工艺的效率，使它们能够在较低的压力下更快地生长。磁控溅射镀膜的应用领域：在玻璃深加工产业中的应用。广州磁控溅射原理

磁控溅射技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域。广州多层磁控溅射过程

磁控溅射又称为高速低温溅射，在磁场约束及增强下的等离子体中的工作气体离子，在靶阴极电场的加速下，轰击阴极材料，使材料表面的原子或分子飞离靶面，穿越等离子体区以后在基片表面淀积、迁移较终形成薄膜。与二极溅射相比较，磁控溅射的沉积速率高，基片升温低，膜层质量好，可重复性好，便于产业化生产。它的发展引起了薄膜制备工艺的巨大变革。磁控溅射源在结构上必须具备两个基本条件：(1)建立与电场垂直的磁场；(2)磁场方向与阴极表面平行，并组成环形磁场。广州多层磁控溅射过程

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